集成电路可靠性问题及物理机理
可靠性认证通常在生产线试流片后进行。版图设计者根据工艺要求设计出一整套可靠性测试结构，采用相应的工艺流片后进行测试，对测试结果的分析可套用业界通用的可靠性经验模型，推算相应寿命。可靠性测试是一项很耗时的工作，例如金属线的电迁移测试至少需要 500 小时，而产品
阈值电压
DRAM，如何微缩？
几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器 (DRAM)作为主存储器，为处理单元检索数据和程序代码提供临时存储空间。DRAM 技术凭借其高速运行、高集成度、高性价比和卓越可靠性，在许多电子设备中得到了广泛应用。
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特基型p-GaN栅HEMT面临高压开关过程阈